Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP60R600C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP60R600C6

IPP60R600C6XKSA1 Hakkında

IPP60R600C6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 7.3A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç dönüştürme, anahtarlama ve yüksek voltaj devrelerinde yer alır. TO-220-3 paket tipi ile endüstriyel ve elektrik elektronik uygulamalarında montajı kolaydır. 600mΩ maksimum on-direnci ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ile çeşitli ortamlara uyum sağlar. Enerji yönetimi, motor kontrol ve invertör devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 2.4A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 200µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok