Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP60R520E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP60R520E6
IPP60R520E6XKSA1 Hakkında
IPP60R520E6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 8.1A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu komponent, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve inverter uygulamalarında tercih edilir. 520mOhm on-direnç (Rds On) değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 66W maksimum güç harcaması ile tasarlanan bu MOSFET, endüstriyel kontrol sistemleri ve güç elektronikleri uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Not: Ürün şu anda üretim dışı (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 512 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 66W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 230µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok