Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP60R520CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP60R520CPXKSA1
IPP60R520CPXKSA1 Hakkında
IPP60R520CPXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET'tir. TO-220-3 paket içinde sunulan bu transistör, 6.8A sürekli drenaj akımı ve 520mΩ maksimum RDS(on) değeriyle karakterize edilir. 10V kapı sürüş voltajında optimum performans gösterir. Gate charge 31nC ve input kapasitans 630pF (@100V) olup, -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, inverterler, UPS sistemleri ve endüstriyel kontrol devrelerinde kullanılır. Maximum 66W güç yayılabilme kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 630 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 66W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 340µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok