Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP60R450E6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP60R450E6

IPP60R450E6XKSA1 Hakkında

IPP60R450E6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, sürekli 9.2A dren akımı kapasitesine ve 450mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 10V kapı sürücü voltajında çalışan transistör, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında kullanılabilir. Maksimum 74W güç dağılımı kapasitesi ile düşük-orta güç uygulamalarında tercih edilir. Anahtarlama devreleri, motor kontrol sistemleri ve güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak kullanılan bu MOSFET, 28nC kapı yükü ve 620pF giriş kapasitansı ile hızlı komütasyon gerektiren uygulamalara uygundur. Komponentin üretimi sonlandırılmış olup, stok ürün olarak temin edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 3.4A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 280µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok