Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP60R385CP

MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3-1

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP60R385CP

IPP60R385CP Hakkında

IPP60R385CP, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim (Vdss) ve 9A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde through-hole montaj ile PCB'ye doğrudan entegre edilebilir. 385mΩ'luk RDS(on) değeri (5.2A, 10V koşullarında) düşük kapı voltajında (10V) hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Güç dönüştürme, motor kontrol ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 385mOhm @ 5.2A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 340µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok