Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP60R380E6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP60R380E6XKSA1

IPP60R380E6XKSA1 Hakkında

IPP60R380E6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 10.6A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 380mOhm maksimum on-direnci ile anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel otomasyon uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, 83W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 32nC gate charge değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. Bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 3.8A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 320µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok