Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP60R299CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP60R299C
IPP60R299CPXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP60R299CPXKSA1, 650V çalışma gerilimi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 11A sürekli dren akımı kapasitesi ve 299mΩ maksimum On-Direnci ile orta güç uygulamalarında kullanılan bir anahtarlama elemanıdır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel invertörler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve anahtarlı güç kaynakları (SMPS) gibi uygulamalarda yer alır. ±20V gate gerilimi aralığında çalışan transistör, -55°C ile 150°C arasında stabil performans sunmaktadır. Maksimum 96W güç tüketimi ile orta seviye anahtarlama uygulamalarına uygundur. Not: Bu parça yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299mOhm @ 6.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok