Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP60R280P7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP60R280P7

IPP60R280P7XKSA1 Hakkında

IPP60R280P7XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket formatında sunulan bu bileşen, 280mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 18nC gate charge ve 761pF input capacitance özellikleri ile hızlı komütasyon karakteristiğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 761 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 3.8A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 190µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok