Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP60R280P6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP60R280P6XKSA1

IPP60R280P6XKSA1 Hakkında

IPP60R280P6XKSA1, 600V Drain-Source gerilimi ve 13.8A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 280mΩ maksimum Rds(on) değeri ile güç uygulamalarında verimli çalışmayı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilme kabiliyeti sayesinde çeşitli endüstriyel ve tüketim elektroniği uygulamalarında kullanılır. Yüksek voltaj anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörler, motor kontrol üniteleri ve güç kaynağı tasarımlarında tercih edilen bir bileşendir. 43nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 430µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok