Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP60R280CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP60R280CFD7XKSA1
IPP60R280CFD7XKSA1 Hakkında
IPP60R280CFD7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 9A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 280mΩ RDS(on) değerine sahiptir. 10V gate sürüş voltajında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 650V Vdss derecesi sayesinde endüstriyel uygulamalar, elektrik şebeke kontrol sistemleri ve yenilenebilir enerji sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 52W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 807 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 180µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok