Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP60R250CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP60R250CP
IPP60R250CPXKSA1 Hakkında
IPP60R250CPXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim yeteneği ve 12A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipi ile monte edilir. 250mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Sürü gerilimi 10V, maksimum gate gerilimi ±20V'dir. Endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Son satın alma (Last Time Buy) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok