Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP60R230P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 16.8A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP60R230P6
IPP60R230P6XKSA1 Hakkında
IPP60R230P6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source geriliminde 16.8A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, 230mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarına uygundur. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, SMPS (Switched Mode Power Supply) devreleri, güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 126W maksimum güç tüketimine dayanıklıdır. 10V gate sürücü gerilimi ve 4.5V eşik gerilimi ile yüksek hızlı PWM uygulamalarında yer alabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1450 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 126W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 6.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 530µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok