Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP60R1K4C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP60R1K4C6
IPP60R1K4C6XKSA1 Hakkında
IPP60R1K4C6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 3.2A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde yer alır. 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihazda maksimum 28.4W güç dağıtabilir. Gate charge değeri 1.1nC olup hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. Through-hole montaj türü ile geleneksel PCB tasarımlarına entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 28.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok