Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP60R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP60R199C
IPP60R199CPXKSA1 Hakkında
IPP60R199CPXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET'tir. TO-220-3 paket içerisinde sunulan bu transistör, 16A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 199mOhm on-state direncine sahiptir. 43nC gate charge ve 1520pF input kapasitesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir operasyon sunması nedeniyle endüstriyel uygulamalar, güç yönetimi devreler, motor kontrol ve AC/DC dönüştürücü tasarımlarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1520 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199mOhm @ 9.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 660µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok