Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP60R190P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP60R190P6
IPP60R190P6XKSA1 Hakkında
IPP60R190P6XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim kapasitesi ve 20.2A sürekli drain akımı ile orta ve yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 190mΩ (10V, 7.6A) on-state direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve maksimum 151W güç tüketiminde kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1750 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 151W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 630µ |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok