Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP60R180P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP60R180P7
IPP60R180P7XKSA1 Hakkında
IPP60R180P7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 650V Vdss ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 18A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, 180mOhm (10V/5.6A) on-state direnci ile verimli anahtarlama performansı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri, motor kontrol, enerji dönüştürme ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 25nC gate charge ve 1081pF input capacitance değerleriyle kontrol devrelerinin tasarımı kolaylaştırır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1081 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 280µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok