Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP60R180C7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP60R180C7

IPP60R180C7XKSA1 Hakkında

IPP60R180C7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmış olup, 13A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketlemesi ile through-hole montajı destekler. 180mΩ @ 10V Rds(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında güç dağılımını minimize eder. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında stabil çalışır. Güç kaynakları, motor sürücüleri, endüstriyel kontrol devreleri ve AC/DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. 68W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarından orta güç seviyelerine kadar uygulanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1080 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 5.3A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 260µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok