Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP60R165CPXKSA1
MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP60R165CPXKSA1
IPP60R165CPXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP60R165CPXKSA1, 600V drain-source geriliminde çalışabilen N-channel MOSFET transistördür. 21A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. TO-220-3 paket tipiyle PCB'ye diyot bacaklı montaj yapılır. 10V gate sürücü geriliminde 165mΩ iç direnç değeriyle verimli çalışır. Sanayi uygulamalarında, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve inverter tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma aralığında 192W'a kadar güç yayabilir. Lütfen yeni tasarımlarda alternatif çözümleri değerlendiriniz.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 192W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 790µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok