Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP60R160P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3-1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP60R160P7
IPP60R160P7XKSA1 Hakkında
IPP60R160P7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 20A sürekli drain akımı ve 160mOhm (Rds On) değeri ile güç elektronik devrelerinde anahtarlama ve doğrultucu uygulamalarında yer alır. TO-220-3 paketinde sunulan komponent, endüstriyel uygulamalar, invertörler, şarj cihazları ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasındaki işletme sıcaklık aralığı geniş uygulama yelpazesine uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1317 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 81W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 6.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 350µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok