Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP60R160P6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP60R160P6

IPP60R160P6XKSA1 Hakkında

IPP60R160P6XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 23.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 160mOhm maksimum on-state direnci ile güç elektronikleri uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan bu MOSFET, endüstriyel uygulamalar, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde kullanılır. 10V kapı sürüm voltajında optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2080 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 750µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok