Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP60R160P6XKSA1
HIGH POWER_LEGACY
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP60R160P6
IPP60R160P6XKSA1 Hakkında
IPP60R160P6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj dayanımı ve 23.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 160mΩ maksimum on-direnci ve 176W güç dağıtım kapasitesi sayesinde power conversion, motor kontrol ve enerji yönetimi sistemlerinde tercih edilir. TO-220-3 paket formatında üretilen bileşen, -55°C ile 150°C arasında işletilme sıcaklık aralığına sahiptir. 44nC gate charge ve 2080pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2080 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 176W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 750µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok