Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP60R125CFD7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 18A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP60R125CFD7XK

IPP60R125CFD7XKSA1 Hakkında

IPP60R125CFD7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 125mΩ maksimum kanal direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücüler, anahtarla beslemeli güç kaynakları (SMPS), motor kontrol devreleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 92W maksimum güç yayılabilir. 36nC kapı yükü ile hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1503 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 92W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 7.8A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 390µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok