Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP60R120P7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 26A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP60R120P7

IPP60R120P7XKSA1 Hakkında

IPP60R120P7XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V N-Channel güç MOSFET'idir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 26A sürekli drenaj akımı ve 120mΩ maksimum RDS(on) değeri ile orta ve yüksek güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 36nC gate charge ve 1544pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, elektrik güç kaynakları ve enerji dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 95W maksimum güç tüketimi derecesiyle tasarlanan bu MOSFET, through-hole montaj özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1544 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 8.2A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 410µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok