Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP60R120C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP60R120C7
IPP60R120C7XKSA1 Hakkında
IPP60R120C7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 19A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 120mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve inverter uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan ve 92W güç tüketimine sahip bu bileşen, 4V eşik gerilimi ile kolay kontrol edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 92W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 390µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok