Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP60R099P7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP60R099P7

IPP60R099P7XKSA1 Hakkında

IPP60R099P7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 31A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 99mOhm maksimum RDS(on) değeri ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 45nC maksimum gate charge ve -55°C ~ 150°C işletme sıcaklık aralığı sayesinde güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yer alır. ±20V maksimum gate gerilimi ve 4V threshold voltajı hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1952 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 117W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 10.5A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 530µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok