Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP60R099P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP60R099P6
IPP60R099P6XKSA1 Hakkında
IPP60R099P6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj kapasitesi ve 37.9A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde, inverter devrelerinde ve elektrik motor kontrolünde yaygın olarak uygulanır. 99mOhm maksimum Rds(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 278W maksimum güç tüketimi toleransına sahiptir. 10V sürücü voltajında optimal performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3330 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 278W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 14.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.21mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok