Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP60R099CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP60R099CP
IPP60R099CPXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP60R099CPXKSA1, 650V drain-source gerilimi ve 31A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paket tipi ile sunulan bu bileşen, 99mΩ maksimum gate-source direnci (RDS On) ve düşük 80nC gate yükü özellikleriyle güç uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığı ve 255W maksimum güç harcaması ile motor sürücüleri, endüstriyel kontrol devreleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda yer alır. Cihaz Not For New Designs (NFND) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 255W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok