Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP60R099CPAAKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP60R099CP
IPP60R099CPAAKSA1 Hakkında
IPP60R099CPAAKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 31A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 105mΩ on-state direnci (Rds On) ile güç kayıplarını minimize eder. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, inverter tasarımlarında ve endüstriyel elektronik sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, 255W maksimum güç tüketebilir. Gate charge değeri 80nC olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 255W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok