Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP60R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP60R099C6
IPP60R099C6XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP60R099C6XKSA1, 600V drain-source voltajında çalışan N-channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 37.9A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılmaktadır. 10V gate voltajında 99mOhm'luk düşük Rds(on) değeri ile ısı kaybı minimalize edilir. Gate charge değeri 119nC olup, -55°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında çalışır. Şalter devreler, SMPS (Switched Mode Power Supplies), motor sürücüleri ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 119 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2660 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 278W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 18.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.21mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok