Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP60R090CFD7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP60R090CFD7

IPP60R090CFD7XKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPP60R090CFD7XKSA1, 600V drain-source gerilimi ve 25A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paket formatında sunulan bu bileşen, 90mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, AC/DC konvertörler ve endüstriyel güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 125W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile yüksek verimli uygulamalara uygun tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2103 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 11.4A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 570µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok