Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP60R080P7
IPP60R080P7XKSA1 Hakkında
IPP60R080P7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltajı ve 37A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 80mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde temin edilen bu bileşen, endüstriyel güç anahtarlaması uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrolü ve enerji yönetimi sistemlerinde kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabildir. 129W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile taşıyabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2180 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 129W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 11.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 590µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok