Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP60R074C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP60R074C6

IPP60R074C6XKSA1 Hakkında

IPP60R074C6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim (Vdss) kapasitesi ile 57.7A sürekli drain akımı sağlar. TO-220-3 paket tasarımı ile through-hole montajına uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 74mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunar. 138nC gate charge ve 3020pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı gösterir. Güç dönüştürme, motor sürücüler, invertör ve koruma devrelerinde kullanılır. ±20V Vgs maksimum gate gerilim toleransı ile geniş uygulama alanına sahiptir. Ürün obsolete (üretilmiyor) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 57.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3020 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 480.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 74mOhm @ 21A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.4mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok