Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP60R070CFD7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP60R070CFD7XKSA1

IPP60R070CFD7XKSA1 Hakkında

IPP60R070CFD7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 31A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 70mΩ maksimum on-direnç (Rds On) değeri, düşük ısıl kayıp sağlar. TO-220-3 paket tipi ile devre kartlarına kolaylıkla monte edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, LED sürücüleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2721 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 15.1A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 760µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok