Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP60R040C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP60R040C7
IPP60R040C7XKSA1 Hakkında
IPP60R040C7XKSA1, 600V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 50A'ye kadar sürekli drenaj akımı sağlayabilir ve maksimum 227W güç disipe edebilir. 40mΩ düşük on-direnci (RdsOn) ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışan bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreler, SMPS uygulamaları ve ağır yük kontrolünde kullanılır. ±20V gate voltaj toleransı ve 107nC gate yükü ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 107 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4340 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 24.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.24mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok