Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP60R022S7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP60R022S7

IPP60R022S7XKSA1 Hakkında

IPP60R022S7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 23A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipi ile montajı kolaydır. 22mΩ on-resistance değeri ile verimli güç dağılımı sağlar. Anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörler, invertörler ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 12V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5639 pF @ 300 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 23A, 12V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.44mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok