Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP600N25N3GXKSA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP600N25N3
IPP600N25N3GXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies IPP600N25N3GXKSA1, 250V 25A özellikleriyle tasarlanmış N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 60mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 136W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve geniş işletme sıcaklığı aralığı (-55°C ile 175°C) ile endüstriyel uygulamalarda kullanılmaya uygundur. Anahtarlama devreleri, motor kontrol sistemleri, güç kaynakları ve enerji dönüştürücülerde tercih edilen bu MOSFET, 29nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Through-hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB uygulamalarına entegre edilmesi kolaydır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok