Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP530N15N3GXKSA1

MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP530N15N3G

IPP530N15N3GXKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPP530N15N3GXKSA1, 150V drain-source gerilimi ile çalışan N-channel power MOSFET'tir. 21A sürekli dren akımı kapasitesi ve 53mΩ maksimum Rds(on) değeri ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devreleri gibi alanlarda yaygın olarak yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, endüstriyel ve ticari uygulamalarda tercih edilir. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük on-direnci ile enerji verimli tasarımlar için uygundur. Bileşen yeni tasarımlar için artık önerilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 887 pF @ 75 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 35µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok