Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP50R520CPXKSA1

MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP50R520CPXKSA1

IPP50R520CPXKSA1 Hakkında

IPP50R520CPXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 7.1A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç elektronikleri uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve motor sürücü tasarımlarında kullanılır. 520mΩ maksimum On-direnci (10V gate voltajında) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına toleranstir. Gate charge değeri 17nC olup, hızlı anahtarlama performansı gerekli olan endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520mOhm @ 3.8A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok