Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP50R500CEXKSA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP50R500CE
IPP50R500CEXKSA1 Hakkında
IPP50R500CEXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Super Junction MOSFET'tir. 500V drain-source gerilim ve 7.6A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 13V gate drive voltajında 500mOhm maksimum kaynaklanma direncine (Rds On) sahiptir. Gate charge değeri 18.7nC olup, giriş kapasitansi 433pF'dir. Yüksek voltaj uygulamaları, güç kaynağı devreleri, motor kontrol ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılmaktadır. ±20V maksimum gate-source gerilim toleransı ve 3.5V eşik gerilimi ile güvenli ve kontrollenebilir anahtarlama özelliğine sahiptir. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 433 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 2.3A, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok