Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP50R399CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP50R399CPXKSA1
IPP50R399CPXKSA1 Hakkında
IPP50R399CPXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltajlı güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 399mΩ on-state direnç değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Endüstriyel inverter devrelerine, ac/dc konvertörlere, UPS sistemlerine ve motor sürücü uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile güvenli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Last Time Buy statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 330µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok