Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP50R399CPHKSA1
MOSFET N-CH 560V 9A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP50R399C
IPP50R399CPHKSA1 Hakkında
IPP50R399CPHKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 560V Drain-Source gerilimi ve 9A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipiyle PCB'ye montajlanabilir. 399mΩ maksimum On-State direnci (Rds On) ve 23nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, SMPS (Switched Mode Power Supply), motor kontrol ve enerji yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 560 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 330µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok