Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP50R380CEXKSA1

MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP50R380CE

IPP50R380CEXKSA1 Hakkında

IPP50R380CEXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 500V N-channel MOSFET'tir. Super Junction teknolojisini kullanan bu transistör, 9.9A sürekli dren akımı ve 380mΩ (13V, 3.2A şartlarında) on-state direncine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, inverterlerde ve AC-DC adaptörlerde kullanılır. 500V yüksek voltaj desteği sayesinde endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, maksimum 73W güç tüketebilir. 24.8nC (10V) gate charge ve düşük kapasitans değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 13V
FET Feature Super Junction
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 584 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 3.2A, 13V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 260µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok