Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP50R350CPXKSA1
MOSFET N-CH 550V 10A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP50R350CPXKSA1
IPP50R350CPXKSA1 Hakkında
IPP50R350CPXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 550V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 350mOhm maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 25nC olup hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Maksimum 89W güç dağılımı kapasitesi vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1020 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 5.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 370µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok