Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP50R350CPHKSA1
MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP50R350CPHKSA1
IPP50R350CPHKSA1 Hakkında
IPP50R350CPHKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 350mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli güç dönüştürme sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynağı devreleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 89W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Through-hole montajı ile PCB'ye doğrudan entegre edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1020 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 5.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 370µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok