Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP50R299CPXKSA1
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP50R299CP
IPP50R299CPXKSA1 Hakkında
IPP50R299CPXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 550V drain-source voltaj ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 104W maksimum güç dağılımı ile anahtarlama ve amplifikasyon devreleri, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve inverter uygulamalarında yer alır. 10V gate sürüş voltajında 299mOhm RDS(on) direnci bulunmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında emniyetli şekilde kullanılabilir. Yüksek frekans anahtarlama uygulamaları için uygun düşük gate charge (31nC) değerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1190 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299mOhm @ 6.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok