Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP50R299CPHKSA1
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP50R299CPHKSA1
IPP50R299CPHKSA1 Hakkında
IPP50R299CPHKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 550V drain-source voltaj kapasitesi ve 12A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 299mΩ (10V, 6.6A'de) düşük on-resistance değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve güç dönüştürücülerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 104W maksimum güç harcaması kapasitesi ve -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun kılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1190 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299mOhm @ 6.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok