Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP50R280CEXKSA1

MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP50R280CEXKSA1

IPP50R280CEXKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPP50R280CEXKSA1, 500V drain-source gerilimi ve 13A sürekli akım kapasitesine sahip bir N-channel MOSFET'tir. Super Junction teknolojisi ile tasarlanan bu transistör, güç elektroniği uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 280mΩ (13V, 4.2A koşullarında) on-state direnci ve 32.6nC gate charge değerleriyle verimli komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. SMPS (Switch Mode Power Supply), adaptör, inverter ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 13V
FET Feature Super Junction
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 773 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 92W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 4.2A, 13V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 350µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok