Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP50R280CEXKSA1

CONSUMER

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP50R280CE

IPP50R280CEXKSA1 Hakkında

IPP50R280CEXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Super Junction MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 13A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 280mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp özellikleri sunar. TO-220-3 paket tipi ile montajı standart PCB uygulamalarına uygundur. Güç kaynakları, motor sürücüleri, ağır anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel denetim sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 92W maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 13V
FET Feature Super Junction
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 773 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 92W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 4.2A, 13V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 350µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok