Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP50R250CPHKSA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP50R250CPHKSA1
IPP50R250CPHKSA1 Hakkında
IPP50R250CPHKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V Drain-Source gerilimi ve 13A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 250mOhm maksimum kapalı direnç (Rds On) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, DC/DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve endüstriyel güç elektronikleri uygulamalarında tercih edilir. 10V gate sürüm geriliminde 36nC gate yükü ve 114W maksimum güç tüketim kapasitesi ile verimli performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1420 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 114W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 520µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok