Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP50R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP50R199CPXKSA1
IPP50R199CPXKSA1 Hakkında
IPP50R199CPXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-kanal güç MOSFET transistörüdür. 550V drain-source gerilim kapasitesine ve 17A sürekli drain akımına sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 199mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. MOSFET teknolojisinde üretilen bu transistör, endüstriyel uygulamalarda, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. 139W maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunmaktadır. Not For New Designs statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199mOhm @ 9.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 660µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok